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IPB090N06N3 G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPB090N06N3 G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 50A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 34µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 30V
功率_最大：71W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-2
包裝：剪切帶 (CT)

IPB090N06N3 G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 50A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 34µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 30V
功率_最大：71W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-2
包裝：Digi-Reel®

IPB090N06N3 G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 50A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 34µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 30V
功率_最大：71W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-2
包裝：帶卷 (TR)

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